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参数资料
| 型号： | BAS40SL |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 103K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SOD-923 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 40V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 100mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 40mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 8ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 200nA @ 30V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-923 |
| 供应商设备封装： | SOD-923 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1611 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BAS40SLDKR |
 BAS40SL — Schottky Barrier Diodes ? 2010 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com BAS40SL Rev. A2 2 Typical Performance Characteristics Figure 1. Forward Current Characteristics Figure 2. Reverse Leakage Current Figure 3. Junction Capacitance Figure 4. Power Derating 1 10 100 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 TJ=150 oC TJ=85 oC TJ=25 oC Forward Voltage Drop, VF[V] Forward Current, I F [mA] 10 20 30 40 1 10 100 1000 10000 100000 TJ=150 oC TJ=25 oC Reverse Current, I R [nA] Reverse Voltage, VR[V] TJ=85 oC 0246810 1 2 3 4 5 f=1mhz Juntion Capacitance, C J [pF] Reverse Voltage, VR[V] 0 25 50 75 100 125 150 0 50 100 150 200 250 300 Power Dissipation, [mW] Ambient Temperature, Ta[oC] |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAS40T-7-F | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT523 |
| BAS40W-7-F | DIODE SCHOTTKY 40V 200MW SC70-3 |
| BAS416,115 | DIODE SW LO-LEAK 85V 200MA SC-76 |
| BAS45AL,115 | DIODE LOW LEAK 125V 250MA SOD80C |
| BAS521,115 | DIODE SW 300V 250MA H-S SOD523 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS40SL_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Schottky Barrier Diodes |
| BAS40SPT | 制造商:CHENMKO 制造商全称:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:SCHOTTKY DIODE VOLTAGE 40 Volts CURRENT 0.2 Ampere |
| BAS40ST/R | 制造商:PANJIT 功能描述: |
| BAS40S-T1 | 制造商:WTE 制造商全称:Won-Top Electronics 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| BAS40SW | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES |
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