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参数资料
| 型号： | BAS416,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 115K |
| 描述： | DIODE SW LO-LEAK 85V 200MA SC-76 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 3µs |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5nA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-76，SOD-323 |
| 供应商设备封装： | SOD-323 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
     DATA SHEET Product data sheet Supersedes data of 2002 Nov 19 2004 Jan 26 DISCRETE SEMICONDUCTORS BAS416 Low-leakage diode |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAS45AL,115 | DIODE LOW LEAK 125V 250MA SOD80C |
| BAS521,115 | DIODE SW 300V 250MA H-S SOD523 |
| BAS521-7 | DIODE 300V 250MA SOD523 |
| BAS521LP-7 | DIODE 325V 400MA DFN1006-2 |
| BAS70-7-F | DIODE SCHOTTKY 70V 200MW SOT23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS416F | 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:200mA（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:150°C（最大） 标准包装:10,000 |
| BAS416Z | 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:200mA（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:150°C（最大） 标准包装:3,000 |
| BAS45A | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE LOW LEAKAGE DO-34 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, LOW LEAKAGE, DO-34 |
| BAS45A T/R | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE LOW LEAKAGE TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS45A,113 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE LOW LEAKAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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