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参数资料
| 型号： | BAS416,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 115K |
| 描述： | DIODE SW LO-LEAK 85V 200MA SC-76 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 3µs |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5nA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-76，SOD-323 |
| 供应商设备封装： | SOD-323 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
      2004 Jan 26 2 NXP Semiconductors Product data sheet Low-leakage diode BAS416 FEATURES ? Plastic SMD package ? Low leakage current: typ. 3 pA ? Switching time: typ. 0.8 μs ? Continuous reverse voltage: max. 75 V ? Repetitive peak reverse voltage: max. 85 V ? Repetitive peak forward current: max. 500 mA. APPLICATIONS ? Low-leakage current applications in surface mounted circuits. DESCRIPTION Epitaxial, medium-speed switching diode with a low leakage current encapsulated in a small SOD323 SMD plastic package. PINNING PIN DESCRIPTION 1 cathode 2 anode Fig.1 Simplified outline (SOD323) (SC-76) and symbol. Marking code: D4. The marking bar indicates the cathode. handbook, halfpage12 MAM406 ORDERING INFORMATION LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). Note 1. Device mounted on an FR4 printed-circuit board. TYPE NUMBER PACKAGE NAME DESCRIPTION VERSION BAS416 ? plastic surface mounted package; 2 leads SOD323 SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT VRRM repetitive peak reverse voltage ? 85 V VR continuous reverse voltage ? 75 V IF continuous forward current see Fig.2 ? 200 mA IFRM repetitive peak forward current ? 500 mA IFSM non-repetitive peak forward current square wave; Tj = 25 °C prior to surge; see Fig.4 t = 1 μs ? 4 A t = 1 ms ? 1 A t = 1 s ? 0.5 A Ptot total power dissipation Tamb = 25 °C; note 1 ? 250 mW Tstg storage temperature ?65 +150 °C Tj junction temperature ? 150 °C |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| BAS416Z | 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:200mA（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:150°C（最大） 标准包装:3,000 |
| BAS45A | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE LOW LEAKAGE DO-34 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, LOW LEAKAGE, DO-34 |
| BAS45A T/R | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE LOW LEAKAGE TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS45A,113 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE LOW LEAKAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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