参数资料
型号: BAS416,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 8/8页
文件大小: 115K
描述: DIODE SW LO-LEAK 85V 200MA SC-76
标准包装: 3,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 75V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.25V @ 150mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr): 3µs
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5nA @ 75V
电容@ Vr, F: 2pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-76,SOD-323
供应商设备封装: SOD-323
包装: 带卷 (TR)
NXP Semiconductors
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? NXP B.V. 2009
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drawings which were updated to the latest version.
Printed in The Netherlands R76/02/pp8 Date of release: 2004
Jan
26 Document order number: 9397
750
12591
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PDF描述
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参数描述
BAS416F 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):200mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-76,SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:10,000
BAS416Z 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):200mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-76,SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:3,000
BAS45A 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE LOW LEAKAGE DO-34 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, LOW LEAKAGE, DO-34
BAS45A T/R 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 DIODE LOW LEAKAGE TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
BAS45A,113 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 DIODE LOW LEAKAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube