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参数资料
| 型号： | BAS521,315 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 110K |
| 描述： | DIODE SW 300V 250MA H-S SOD523 |
| 标准包装： | 8,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 300V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 250mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 100mA |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 150nA @ 250V |
| 电容@ Vr, F： | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-79，SOD-523 |
| 供应商设备封装： | SOD-523 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
                  BAS521 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. ? NXP B.V. 2010. All rights reserved. Product data sheet Rev. 2 — 5 November 2010 3 of 11 NXP Semiconductors BAS521 Single high-voltage switching diode 6. Thermal characteristics [1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint. [2] Reflow soldering is the only recommended soldering method. [3] Soldering point of cathode tab. 7. Characteristics [1] Pulse test: tp = 300 μs; δ =0.02. [2] When switched from IF = 30 mA to IR =30mA; RL = 100 Ω; measured at IR =3mA. Table 6. Thermal characteristics Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit Rth(j-a) thermal resistance from junction to ambient in free air [1][2] - - 500 K/W Rth(j-sp) thermal resistance from junction to solder point [3] - - 120 K/W Table 7. Characteristics Tamb =25°C unless otherwise specified. Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit VBR breakdown voltage IR = 100 μA 300 340 - V VF forward voltage IF =100mA [1] - 0.95 1.1 V IR reverse current VR = 250 V - 30 150 nA VR =250V; Tamb =150°C - 40 100 μA Cd diode capacitance f = 1 MHz; VR = 0 V - 0.4 5 pF trr reverse recovery time [2] - 1650ns |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-B4H-CX-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 52V 75W |
| REC3-2412DR/H1/SMD | CONV DC/DC 3W 24VIN +/-12VOUT |
| GMC40DRAN-S734 | CONN EDGECARD 80POS .100 R/A SLD |
| FMC12DRAN | CONN EDGECARD 24POS R/A .100 SLD |
| MIC280-3YM6 TR | IC SUPERVISOR THERMAL SOT23-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS521-7 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 High Volt 50ns 300V 100nA Low Leakage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS521LP | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE |
| BAS521LP_11 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE |
| BAS521LP-7 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 HI VOLT SW DIODES 400V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS521LP-7B | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE |
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