参数资料
型号: BAS521,315
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 7/11页
文件大小: 110K
描述: DIODE SW 300V 250MA H-S SOD523
标准包装: 8,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 300V
电流 - 平均整流 (Io): 250mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.1V @ 100mA
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 50ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 150nA @ 250V
电容@ Vr, F: 5pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-79,SOD-523
供应商设备封装: SOD-523
包装: 带卷 (TR)
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Product data sheet Rev. 2 — 5 November 2010 5 of 11
NXP Semiconductors
BAS521
Single high-voltage switching diode
8. Test information
8.1 Quality information
This product has been qualified in accordance
with the Automotive Electronics Council
(AEC) standard Q101 - Stress test qualification for discrete semiconductors, and is
suitable for use in automotive applications.
Based on square wave currents.
Tj
=25°C prior to surge.
Fig 5. Non-repetitive peak forward current as a function of pulse duration; maximum values
mbg703
10
1
102
IFSM
(A)
10?1
tp
(
μs)
11010 102
103
4
(1) IR
=3mA
Fig 6. Reverse recovery time test circuit and waveforms
trr
(1)
+
I
F
t
output signal
tr
tp
t
10 %
90 %
VR
input signal
V = VR +
IF ×
RS
RS = 50 Ω
IF
D.U.T.
Ri
= 50
Ω
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
mga881
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
BAS521-7 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 High Volt 50ns 300V 100nA Low Leakage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
BAS521LP 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE
BAS521LP_11 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE
BAS521LP-7 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 HI VOLT SW DIODES 400V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
BAS521LP-7B 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE