参数资料
型号: BAS70-04-V-GS08
厂商: Vishay Semiconductors
文件页数: 2/3页
文件大小: 316K
描述: DIODE SCHOTKY SS 70V 200MA SOT23
标准包装: 1
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 410mV @ 1mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100nA @ 50V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 200mA(DC)
电压 - (Vr)(最大): 70V
反向恢复时间(trr): 5ns
二极管类型: 肖特基
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置: 1 对串联
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23
包装: 标准包装
其它名称: BAS70-04-V-GS08DKR
BAS70-00 to BAS70-06
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Rev. 2.0, 25-Feb-13
2
Document Number: 85702
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Note
(1)
Pulse test; tp
?
300 μs
LAYOUT FOR RthJA TEST
Thickness:
Fiberglass 1.5 mm (0.059")
Copper leads 0.3 mm (0.012")
PACKAGE DIMENSIONS in millimeters (inches):
SOT-23
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER TEST CONDITION SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT
Reserve beakdown voltage IR
= 10 μA (pulsed) V
(BR)
70 V
Leakage current VR
= 50 V I
R
20 100 nA
Forward voltage IF
= 1.0 mA V
F
410 mV
Forward voltage (1)
IF
= 15 mA V
F
1000 mV
Diode capacitance VR
= 0 V, f = 1 MHz C
D
1.5 2 pF
Reserve recovery time
IF
= I
R
= 10 mA, i
R
= 1 mA,
RL
= 100
?
trr
5ns
17451
15 (0.59)
12 (0.47)
0.8 (0.03)
5 (0.2)
7.5 (0.3)
3 (0.12)
1 (0.4)
1 (0.4)
2 (0.8)
2 (0.8)
1.5 (0.06)
5.1 (0.2)
0.35 (0.014)Foot print recommendation:
Rev. 8 - Date: 23.Sept.2009
17418
Document no.: 6.541-5014.01-40.95 (0.037) 0.95 (0.037)
0.9 (0.035)0.9 (0.035)
1 (0.039)1 (0.039)
1.43 (0.056)
0.45 (0.018)
0.550 ref. (0.022 ref.)2.8 (0.110)
3.1 (0.122)
0.45 (0.018)0.45 (0.018)
0° to 8°
0.35 (0.014)0.35 (0.014)2.6 (0.102)
0.1 (0.004) max.
2.35 (0.093)
0.175 (0.007)
0.098 (0.004)
1.15 (0.045)
0.9 (0.035)
1.20 (0.047)
2 (0.079)
0.7 (0.028)
0.9 (0.035)
0.2 (0.008)
0.3 (0.012)
0.5 (0.020)
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PDF描述
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