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参数资料
| 型号： | BAS70-04LT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 91K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY DUAL 70V SOT-23 |
| 产品变化通告： | Wire Change 08/Jun/2009 |
| 产品目录绘图： | Rectifier SOT-23, SOT-23S |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 15mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 100mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 70V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 1 对串联 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1569 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BAS70-04LT1GOSDKR |
BAS70?04LT1G, SBAS70?04LT1G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Reverse Breakdown Voltage (IR
= 10
μA)
V(BR)R
70
?
V
Total Capacitance (VR
= 0 V, f = 1.0 MHz)
CT
?
2.0
pF
Reverse Leakage (VR
= 50 V)
(VR
= 70 V)
IR
?
?
0.1
10
μA
Forward Voltage (IF
= 1.0 mA)
VF
?
410
mV
Forward Voltage (IF
= 10 mA)
VF
?
750
mV
Forward Voltage (IF
= 15 mA)
VF
?
1.0
V
100
0.1
0 0.1
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
0.2 0.3 0.4
0.5
10
1.0
85°C
10
0.001
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1.0
0.1
0.01
5.0 10 15 20
50
1.4
0
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1.2
0.4
0.2
C
T
, CAPACITANCE (pF)
5.0 10 15 5020
25
30 35 40 45
I
F
, FORWARD CURRENT (mA)
Figure 1. Typical Forward Voltage Figure 2. Reverse Current versus Reverse
Voltage
Figure 3. Typical Capacitance
-°C
25°C
TA
= 150
°C
25°C
I
R
, REVERSE CURRENT (
μ
A)
1.0
-°C
1°C
150°C
100
0.6
0.8
1.0
0.6 0.7
125°C
85°C
25
30 35 40
45
0.8 0.9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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