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参数资料
型号： BAS716,115
厂商： NXP Semiconductors
文件页数： 5/8页
文件大小： 116K
描述： DIODE SW 85V 200MA SOD523
标准包装： 1
二极管类型： 标准
电压 - (Vr)（最大）： 75V
电流 - 平均整流 (Io)： 200mA（DC）
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 1.25V @ 150mA
速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间(trr)： 3µs
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 5nA @ 75V
电容@ Vr, F： 2pF @ 0V，1MHz
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-79，SOD-523
供应商设备封装： SOD-523
包装： 标准包装
其它名称： 568-6013-6
2003 Nov 07 5
NXP Semiconductors
Product data sheet
Low-leakage diode BAS716
102handbook, halfpage
C)
200
0 50 100
150
Tj (°
10
1
10?1
MDB826
IR
(nA)
(1)
(2)
Fig.5 Reverse current as a function of junction
temperature.
VR
= 75 V.
(1) Maximum values.
(2) Typical values.
handbook, halfpage2.0
0
0 5 10 2015
VR (V)
1.5
0.5
1.0
MDB827
Cd
(pF)
Fig.6 Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
f = 1 MHz; Tj
= 25
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PDF描述
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参数描述
BAS716F 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:200mA（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 工作温度 - 结:150°C（最大） 标准包装:10,000
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