参数资料
型号: BAS716,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 6/8页
文件大小: 116K
描述: DIODE SW 85V 200MA SOD523
标准包装: 1
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 75V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.25V @ 150mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr): 3µs
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5nA @ 75V
电容@ Vr, F: 2pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-79,SOD-523
供应商设备封装: SOD-523
包装: 标准包装
其它名称: 568-6013-6
2003 Nov 07 6
NXP Semiconductors
Product data sheet
Low-leakage diode BAS716
PACKAGE OUTLINE
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC JEDEC JEITA
SOD523 SC-79
98-11-25
02-12-13
Plastic surface mounted package; 2 leads SOD523
0 0.5 1 mm
scale
D
12
HE
E
bp
A
c
v
M
A
A
UNIT bAHpcDE
E
v
mm
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Note
1. The marking bar indicates the cathode.
(1)
0.34
0.26
0.17
0.11
0.1
0.85
0.75
1.25
1.15
0.65
0.58
1.65
1.55
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参数描述
BAS716F 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):200mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-79,SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:10,000
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