参数资料
型号: BAS86,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 2/9页
文件大小: 139K
描述: DIODE SCHOTTKY 50V 200MA SOD80C
产品目录绘图: SOD-80C Pin Out
SOD-80C Circuit
标准包装: 1
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 50V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 900mV @ 100mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr): 4ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5µA @ 40V
电容@ Vr, F: 8pF @ 1V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOD-80C
供应商设备封装: LLDS; MiniMelf
包装: 标准包装
产品目录页面: 1509 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 568-3411-6
NXP Semiconductors
BAS86
Schottky barrier single diode
BAS86
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? NXP B.V. 2012. All rights reserved
Product data sheet
25 July 2012
2
/
9
2.
Pinning information
Table 2.
Pinning information
Pin
Symbol
Description
Simplified outline
Graphic symbol
1
K
cathode[1]
2
A
anode
k
a
LLDS; MiniMelf (SOD80C)
aaa-003679
K
A
[1]
The marking band indicates the cathode.
3.
Ordering information
Table 3.
Ordering information
Package
Type number
Name
Description
Version
BAS86
LLDS;
MiniMelf
hermetically sealed glass surface-mounted package; 2
connectors
SOD80C
4.
Marking
Table 4.
Marking codes
Type number
Marking code
BAS86
marking band
5.
Limiting values
Table 5.
Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
VR
reverse voltage
-
50
V
IF
forward current
-
200
mA
IF(AV)
average forward current
[1]
-
200
mA
IFRM
repetitive peak forward current
tp
≤ 1 s; δ
≤ 0.5
-
500
mA
IFSM
non-repetitive peak forward
current
tp
= 10 ms; T
j(init)
= 25 °C
-
5
A
Tj
junction temperature
-
125
°C
Tamb
ambient temperature
-65
125
°C
Tstg
storage temperature
-65
150
°C
[1]
Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard
footprint.
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