参数资料
型号: BAS86,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 3/9页
文件大小: 139K
描述: DIODE SCHOTTKY 50V 200MA SOD80C
产品目录绘图: SOD-80C Pin Out
SOD-80C Circuit
标准包装: 1
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 50V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 900mV @ 100mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr): 4ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5µA @ 40V
电容@ Vr, F: 8pF @ 1V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOD-80C
供应商设备封装: LLDS; MiniMelf
包装: 标准包装
产品目录页面: 1509 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 568-3411-6
NXP Semiconductors
BAS86
Schottky barrier single diode
BAS86
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
? NXP B.V. 2012. All rights reserved
Product data sheet
25 July 2012
3
/
9
6.
Thermal characteristics
Table 6.
Thermal characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Rth(j-a)
thermal resistance
from junction to
ambient
in free air
[1]
-
-
320
K/W
[1]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
7.
Characteristics
Table 7.
Characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
IF
= 0.1 mA; T
amb
= 25 °C
-
-
300
mV
IF
= 1 mA; T
amb
= 25 °C
-
-
380
mV
IF
= 10 mA; T
amb
= 25 °C
-
-
450
mV
IF
= 30 mA; T
amb
= 25 °C
-
-
600
mV
VF
forward voltage
IF
= 100 mA; T
amb
= 25 °C
-
-
900
mV
IR
reverse current
VR
= 40 V; T
amb
= 25 °C; pulsed;
tp
≤ 300 μs; δ
≤ 0.02
-
-
5
μA
Cd
diode capacitance
f
= 1 MHz; T
amb
= 25 °C; V
R
= 1 V
-
-
8
pF
trr
reverse recovery time
IF
= 10 mA; I
R
= 10 mA; R
L
= 100 Ω;
IR(meas)
= 1 mA; T
amb
= 25 °C
-
-
4
ns
相关PDF资料
PDF描述
BAT1000-7-F DIODE SCHOTTKY 1A 40V SOT23-3
BAT254,115 DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD110
BAT400D-7 DIODE SCHOTTKY 40V 0.5A SOT23-3
BAT42WS-7-F DIODE SCHOTTKY 30V 200MW SOD-323
BAT43W-7-F DIODE SCHOTTKY 200MA 30V SOD123
相关代理商/技术参数
参数描述
BAS86-GS08 功能描述:肖特基二极管与整流器 50 Volt 200mA 500 mA IFRM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
BAS86-GS18 功能描述:肖特基二极管与整流器 50 Volt 200mA 500 mA IFRM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
BAS86-M 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Schottky Diode
BAS86-M-08 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SCHOTTKY DIODES SOD80 MINIMELF-E2-M
BAS86-M-18 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SCHOTTKY DIODES SOD80 MINIMELF-E2-M