参数资料
型号: BAS86,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 5/9页
文件大小: 139K
描述: DIODE SCHOTTKY 50V 200MA SOD80C
产品目录绘图: SOD-80C Pin Out
SOD-80C Circuit
标准包装: 1
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 50V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 900mV @ 100mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr): 4ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5µA @ 40V
电容@ Vr, F: 8pF @ 1V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOD-80C
供应商设备封装: LLDS; MiniMelf
包装: 标准包装
产品目录页面: 1509 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 568-3411-6
NXP Semiconductors
BAS86
Schottky barrier single diode
BAS86
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Product data sheet
25 July 2012
5
/
9
trr
(1)
+
IF
t
output
signal
tr
tp
t
10
%
90
%
VR
input
signal
V
=
VR
+IF
×RS
RS
=
50
Ω
IF
D.U.T.
Ri
=
50
Ω
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
mga881
(1) IR
= 1 mA
Fig. 5.
Reverse recovery time test circuit and waveforms
9.
Package outline
06-03-16
Dimensions
in
mm
1.60
1.45
0.3
3.7
3.3
0.3
Fig. 6.
LLDS; MiniMelf (SOD80C)
10.
Soldering
sod080c
2.30
4.30
4.55
0
1.60
5
1.7
2.2
0.90
(2x)
solder
lands
solder
resist
occupied
area
solder
paste
Dimensions
in
mm
Fig. 7.
Reflow soldering footprint for SOD80C (LLDS; MiniMelf)
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
BAS86-GS08 功能描述:肖特基二极管与整流器 50 Volt 200mA 500 mA IFRM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
BAS86-GS18 功能描述:肖特基二极管与整流器 50 Volt 200mA 500 mA IFRM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
BAS86-M 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Schottky Diode
BAS86-M-08 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SCHOTTKY DIODES SOD80 MINIMELF-E2-M
BAS86-M-18 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SCHOTTKY DIODES SOD80 MINIMELF-E2-M