参数资料
型号: BAT74,235
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 3/10页
文件大小: 111K
描述: DIODE SCHTK DUAL 30V SOT143B
标准包装: 10,000
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 800mV @ 100mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 2µA @ 25V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 200mA(DC)
电压 - (Vr)(最大): 30V
反向恢复时间(trr): 5ns
二极管类型: 肖特基
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置: 2 个独立式
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-253-4,TO-253AA
供应商设备封装: SOT-143B
包装: 带卷 (TR)
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Product data sheet Rev. 03 — 19 April 2010 2 of 10
NXP Semiconductors
BAT74
Schottky barrier double diode
3. Ordering information
4. Marking
[1] * = -: made in Hong Kong
* = p: made in Hong Kong
* = t: made in Malaysia
* = W: made in China
5. Limiting values
[1] Series connection.
[2] If both diodes are in forward operation at the same moment, total device current is max. 110 mA. If one
diode is in reverse operation and the other is in forward operation at the same moment, total device current
is max. 200 mA.
Table 3. Ordering information
Type number
Package
Name
Description
Version
BAT74 - plastic surface-mounted package; 4 leads SOT143B
Table 4. Marking codes
Type number
Marking code[1]
BAT74 *L4
Table 5. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
VR
reverse voltage - 30 V
IF
forward current - 200 mA
IFRM
repetitive peak forward
current
tp
1s; δ≤0.5 - 300 mA
IFSM
non-repetitive peak forward
tp
<10ms - 600 mA
current
Ptot
total power dissipation Tamb
25
°C-230mW
Tj
junction temperature - 125
°C
Tamb
ambient temperature
?65 +125
°C
Tstg
storage temperature
?65 +150
°C
Double diode operation
VR
reverse voltage - 30 V
[1]
-60V
IF
forward current
[2]
-110mA
IFRM
repetitive peak forward
current
tp
1s; δ≤0.5 - 200 mA
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BAT74S,135 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE-SCHTKY TAPE-11 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel