参数资料
型号: BAV170,215
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 1/9页
文件大小: 122K
描述: DIODE SW DUAL 75V 215MA SOT-23
标准包装: 3,000
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.25V @ 150mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5nA @ 75V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 215mA(DC)
电压 - (Vr)(最大): 75V
反向恢复时间(trr): 3µs
二极管类型: 标准
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3
包装: 带卷 (TR)
DATA SHEET
Product data sheet
Supersedes data of 1999 May 11
2003 Mar 25
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BAV170
Low-leakage double diode
book, halfpage
M3D088
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PDF描述
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参数描述
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BAV170-7-99A-F 制造商:DIODES 功能描述:250MW LOW LEAKAGE SIGNAL DIODES/SOT-23(LEAD FREE) FOR AUTOMOTIVE
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BAV170-7-F 功能描述:整流器 85V 250mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
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