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参数资料
| 型号： | BAV170,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 122K |
| 描述： | DIODE SW DUAL 75V 215MA SOT-23 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5nA @ 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 215mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 反向恢复时间(trr)： | 3µs |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2003 Mar 25 5
NXP Semiconductors
Product data sheet
Low-leakage double diode BAV170
Fig.4 Maximum permissible non-repetitive peak forward current as a function of pulse duration per diode.
Based on square wave currents; Tj
= 25
°C prior to surge.
2
handbook, full pagewidth10
MBG704
10
tp
(
μs)
1
IFSM
(A)
10?1
104
102
103
10
1
VR
= 75 V.
(1) Maximum values.
(2) Typical values.
Fig.5 Reverse current as a function of junction
temperature; per diode.
2
handbook, halfpage10
10
3
0
150 200T ( C)
j
o
50
MLB754
100
10
1
10
1
10
2
IR
(nA)
(1)
(2)
Fig.6 Diode capacitance as a function of reverse
voltage; per diode; typical values.
f = 1 MHz; Tj
= 25
°C.
2handbook, halfpage
0
010205
15
VR
(V)
1
MBG526
Cd
(pF)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| BAV199 | DIODE SWITCH 250MW 85V SOT23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAV170-7 | 功能描述:整流器 85V 250mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BAV170-7-99A-F | 制造商:DIODES 功能描述:250MW LOW LEAKAGE SIGNAL DIODES/SOT-23(LEAD FREE) FOR AUTOMOTIVE |
| BAV170-7-99-F | 制造商:Diodes Zetex 功能描述:BAV 170-7-99-F SOT23# 制造商:DIODES 功能描述:250MW LOW LEAKAGE SIGNAL DIODES/SOT-23(LEAD FREE) FOR AUTOMOTIVE |
| BAV170-7-F | 功能描述:整流器 85V 250mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BAV170-7-F_X | 制造商:DIODES 功能描述:250MW LOW LEAKAGE SIGNAL DIODES/SOT-23(LEAD FREE) |
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