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参数资料
| 型号： | BAV170,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 122K |
| 描述： | DIODE SW DUAL 75V 215MA SOT-23 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5nA @ 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 215mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 反向恢复时间(trr)： | 3µs |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2003 Mar 25 3
NXP Semiconductors
Product data sheet
Low-leakage double diode BAV170
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC
60134).
Note
1. Device mounted on a FR4 printed-circuit board.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tj
=
25
°C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
Per diode
VRRM
repetitive peak reverse voltage
?
85
V
VR
continuous reverse voltage
?
75
V
IF
continuous forward current
single diode loaded; note
1;
see
Fig.2
?
215
mA
double diode loaded; note
1;
see
Fig.2
?
125
mA
IFRM
repetitive peak forward current
?
500
mA
IFSM
non-repetitive peak forward current
square wave; Tj
=
25
°C prior to
surge; see
Fig.4
tp
=
1
μs
?
4
A
tp
=
1
ms
?
1
A
tp
=
1
s
?
0.5
A
Ptot
total power dissipation
Tamb
=
25
°C; note
1
?
250
mW
Tstg
storage temperature
?65
+150
°C
Tj
junction temperature
?
150
°C
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
TYP.
MAX.
UNIT
Per diode
VF
forward voltage
see
Fig.3
IF
=
1
mA
?
900
mV
IF
=
10
mA
?
1000
mV
IF
=
50
mA
?
1100
mV
IF
=
150
mA
?
1250
mV
IR
reverse current
see
Fig.5
VR
=
75
V
0.003
5
nA
VR
=
75
V; Tj
=
150
°C
3
80
nA
Cd
diode capacitance
f
=
1
MHz; VR
=
0; see
Fig.6
2
?
pF
trr
reverse recovery time
when switched from IF
=
10
mA to
IR
=
10
mA; RL
=
100
?; measured at
IR
=
1
mA; see
Fig.7
0.8
3
μs
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAV199,235 | DIODE SW DUAL 75V 160MA SOT-23 |
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| BAV199LT1G | DIODE SWITCH DUAL 70V SOT23 |
| BAV199W-7 | DIODE SW DUAL 85V 200MW SC70-3 |
| BAV199 | DIODE SWITCH 250MW 85V SOT23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAV170-7 | 功能描述:整流器 85V 250mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BAV170-7-99A-F | 制造商:DIODES 功能描述:250MW LOW LEAKAGE SIGNAL DIODES/SOT-23(LEAD FREE) FOR AUTOMOTIVE |
| BAV170-7-99-F | 制造商:Diodes Zetex 功能描述:BAV 170-7-99-F SOT23# 制造商:DIODES 功能描述:250MW LOW LEAKAGE SIGNAL DIODES/SOT-23(LEAD FREE) FOR AUTOMOTIVE |
| BAV170-7-F | 功能描述:整流器 85V 250mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BAV170-7-F_X | 制造商:DIODES 功能描述:250MW LOW LEAKAGE SIGNAL DIODES/SOT-23(LEAD FREE) |
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