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参数资料
| 型号： | BAT754L,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 144K |
| 描述： | DIODE SCHTK TRPL 30V 200MASOT363 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 750mV @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2µA @ 25V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 200mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 3 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | 6-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 934056331115 BAT754L T/R BAT754L T/R-ND |
BAT754L
Schottky barrier triple diode
22 November 2012
Product data sheet
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1.
Product profile
1.1
General description
Three internal isolated planar Schottky barrier diodes with an integrated guard ring for
stress protection,encapsulated in very small SOT363 Surface-Mounted Device (SMD)
plastic package.
1.2
Features and benefits
?
Low forward voltage
?
Low capacitance
?
AEC-Q101 qualified
1.3
Applications
?
Ultra high-speed switching
?
Line termination
?
Voltage clamping
?
Reverse polarity protection
1.4
Quick reference data
Table 1.
Quick reference data
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
VR
reverse voltage
-
-
30
V
Per diode
VF
forward voltage
IF
= 100 mA; pulsed; t
p
≤ 300 μs;
δ
≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
-
-
750
mV
IR
reverse current
VR
= 25 V; pulsed; t
p
≤ 300 μs;
δ
≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
-
-
2
μA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAT754S | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY DUAL 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SCHOTTKY, DUAL |
| BAT754S,215 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 30V 200MA RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| BAT754S | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY DUAL |
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| BAT754S/T1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:DIODE SCHOTTKY |
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