参数资料
型号: BAT754L,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 3/9页
文件大小: 144K
描述: DIODE SCHTK TRPL 30V 200MASOT363
标准包装: 3,000
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 750mV @ 100mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 2µA @ 25V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 200mA(DC)
电压 - (Vr)(最大): 30V
二极管类型: 肖特基
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置: 3 个独立式
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: 6-TSSOP
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 934056331115
BAT754L T/R
BAT754L T/R-ND
NXP Semiconductors
BAT754L
Schottky barrier triple diode
BAT754L
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Product data sheet
22 November 2012
3
/
9
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Tstg
storage temperature
-65
150
°C
6.
Thermal characteristics
Table 6.
Thermal characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Rth(j-a)
thermal resistance
from junction to
ambient
in free air
[1]
-
-
416
K/W
[1]
Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard
footprint.
7.
Characteristics
Table 7.
Characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
IF
= 0.1 mA; pulsed; t
p
≤ 300 μs;
δ
≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
-
-
200
mV
IF
= 1 mA; pulsed; t
p
≤ 300 μs;
δ
≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
-
-
260
mV
IF
= 10 mA; pulsed; t
p
≤ 300 μs;
δ
≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
-
-
340
mV
IF
= 30 mA; pulsed; t
p
≤ 300 μs;
δ
≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
-
-
420
mV
VF
forward voltage
IF
= 100 mA; pulsed; t
p
≤ 300 μs;
δ
≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
-
-
750
mV
IR
reverse current
VR
= 25 V; pulsed; t
p
≤ 300 μs;
δ
≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
-
-
2
μA
Cd
diode capacitance
VR
= 1 V; f
= 1 MHz; T
amb
= 25 °C
-
-
10
pF
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BAT754S,215 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 30V 200MA RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
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