参数资料
型号: BAT760-7
厂商: Diodes Inc
文件页数: 2/4页
文件大小: 95K
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323
产品变化通告: Encapsulate Change 29/Aug/2008
其它图纸: SOD-323 Top
SOD-323 Side 1
SOD-323 Side 2
标准包装: 1
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 30V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 550mV @ 1A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 50µA @ 15V
电容@ Vr, F: 25pF @ 5V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-76,SOD-323
供应商设备封装: SOD-323
包装: 标准包装
产品目录页面: 1595 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: BAT760DIDKR
BAT760
Document number: DS30498 Rev. 7 - 2
2 of 4
www.diodes.com
October 2010
? Diodes Incorporated
BAT760
Maximum Ratings
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitance load, derate current by 20%.
Characteristic Symbol Value Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
30 V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
21 V
Average Rectified Output Current
IO
1 A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed on Rated Load
IFSM
5.5 A
Thermal Characteristics
Characteristic Symbol Value Unit
Power Dissipation (Note 1)
PD
235 mW
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient (Note 5)
RθJA
426
°C/W
Operating and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-65 to +150
°C
Electrical Characteristics
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Test Conditions
Reverse Breakdown Voltage (Note 6)
V(BR)R
30
?
?
V
IR
= 500
μA
Forward Voltage Drop
VF
?
?
?
245
320
495
270
350
550
mV
IF
= 10mA
IF = 100mA
IF = 1A
Leakage Current (Note 6)
IR
?
?
?
3.0
3.5
5.0
10
20
50
μA
VR
= 5V
VR
= 8V
VR
= 15V
Total Capacitance
CT
?
25
?
pF
f = 1MHz, VR
= 5VDC
Notes: 5. Part mounted on FR-4 PC board with recommended pad layout, which can be found on our website at http://www.diodes.com.
6. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
0.1
1
10
0.01
0.001
0
1.0
0.6 0.8
0.4
0.2
I, I
N
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
F
O
R
WA
R
D
C
U
R
R
E
N
T
(A)
F
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)F
Fig. 1 Typical Forward Characteristics
0
V , INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE (V)R
Fig. 2 Typical Reverse Characteristics
10
20
30
相关PDF资料
PDF描述
BAT85,113 DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO34
BAT86,113 DIODE SCHOTTKY 50V 200MA DO-34
BAT960,115 DIODE SCHOTTKY 23V 1A SOT666
BAV102 DIODE 150V 200MA LL34
BAV103 DIODE 200V 200MA LL34
相关代理商/技术参数
参数描述
BAT760F 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):20V 电流 - 平均整流(Io):1A(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:550mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 15V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-76,SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:125°C(最大) 标准包装:10,000
BAT760Q-7 功能描述:Diode Schottky 30V 1A Surface Mount SOD-323 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):30V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):550mV @ 1A 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 15V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-76,SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:3,000
BAT760WS 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全称:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE
BAT760Z 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):20V 电流 - 平均整流(Io):1A(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:550mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 15V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-76,SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:125°C(最大) 标准包装:3,000
BAT81 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY DO-34