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参数资料
| 型号： | BAT85,113 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 126K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO34 |
| 产品目录绘图： | DO-34 Pin Out DO-34 Circuit |
| 标准包装： | 10,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 800mV @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2µA @ 25V |
| 电容@ Vr, F： | 10pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AG，DO-34，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-34 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
     NXP Semiconductors BAT85 Schottky barrier single diode BAT85 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. ? NXP B.V. 2012. All rights reserved Product data sheet 24 July 2012 3 / 8 7. Characteristics Table 7. Characteristics Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit IF = 0.1 mA; T amb = 25 °C - - 240 mV IF = 1 mA; T amb = 25 °C - - 320 mV IF = 10 mA; T amb = 25 °C - - 400 mV IF = 30 mA; T amb = 25 °C - - 500 mV VF forward voltage IF = 100 mA; T amb = 25 °C - - 800 mV IR reverse current VR = 25 V; T amb = 25 °C - - 2 μA Cd diode capacitance f = 1 MHz; T amb = 25 °C; V R = 1 V - - 10 pF trr reverse recovery time IF = 10 mA; I R = 10 mA; R L = 100 Ω; IR(meas) = 1 mA; T amb = 25 °C - - 4 ns 1.2 0.8 0.4 0 VF (V) IF (mA) 103 102 10 (1) 1 10-1 mld358 (1) (2) (3) (2) (3) (1) Tamb = 125 °C (2) Tamb = 85 °C (3) Tamb = 25 °C Fig. 1. Forward current as a function of forward voltage; typical values mgc682 105 IR (nA) 104 103 102 10-1 0 10 1 30 20 VR (V) 10 (1) (2) (3) (1) Tamb = 85 °C (2) Tamb = 25 °C (3) Tamb = ?40 °C Fig. 2. Reverse current as a function of reverse voltage; typical values |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAT86,113 | DIODE SCHOTTKY 50V 200MA DO-34 |
| BAT960,115 | DIODE SCHOTTKY 23V 1A SOT666 |
| BAV102 | DIODE 150V 200MA LL34 |
| BAV103 | DIODE 200V 200MA LL34 |
| BAV116W-7-F | DIODE SWITCH 130V 250MW SOD123 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAT854AW | 制造商:KEXIN 制造商全称:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Schottky barrier (double) diodes |
| BAT854AW,115 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY TAPE-7 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| BAT854AW115 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BAT854CW | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Schottky barrier (double) diodes |
| BAT854CW T/R | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY TAPE-7 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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