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参数资料
| 型号： | BAT960,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 174K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 23V 1A SOT666 |
| 标准包装： | 4,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 23V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 550mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 15V |
| 电容@ Vr, F： | 25pF @ 5V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-666 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
    2003 May 01 3 NXP Semiconductors Product data sheet Schottky barrier diode BAT960 THERMAL CHARACTERISTICS Notes 1. Refer to SOT666 standard mounting conditions. 2. Mounted on printed circuit-board, 1 cm2 copper area. Soldering The only recommended soldering method is reflow soldering. CHARACTERISTICS Tamb = 25 °C unless otherwise specified. Notes 1. Only valid, if pins 1, 2, 5 and 6 are soldered on a 1 cm2 copper solder land. 2. Pulse test: tp = 300 μs; δ = 0.02. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT Rth j-a thermal resistance from junction to ambient note 1 405 K/W note 2 215 K/W SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VF continuous forward voltage IF = 10 mA 240 270 mV IF = 100 mA 300 350 mV IF = 1000 mA; note 1; see Fig.2 480 550 mV IR reverse current VR = 5 V; note 2 5 10 μA VR = 8 V; note 2 7 20 μA VR = 15 V; note 2; see Fig.3 10 50 μA Cd diode capacitance VR = 5 V; f = 1 MHz; see Fig.4 19 25 pF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| BAV102 | DIODE 150V 200MA LL34 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| BAT-ANT-8G | 制造商:HIRSCHMANN INDUSTRIAL 功能描述:Antenna; Omni Directional for 802.11g, 8.0 dBi gain, 1m cable, 943903401 |
| BAT-ANT-N-12 A | 制造商:Hirschmann Electronics GmbH & Co Kg 功能描述:ANTENNA, LINEAR DIRECTIONAL FOR 802.11A, W/O CABLE, 14 DBI GAIN, 943903320 |
| BAT-ANT-N-12A | 制造商:Hirschmann Electronics GmbH & Co Kg 功能描述:ACCESSORY, ANTENNA, LINEAR DIRECTIONAL FOR 802.11A, W/O CABLE, 14 DBI GAIN |
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