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参数资料
| 型号： | BAT960,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 174K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 23V 1A SOT666 |
| 标准包装： | 4,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 23V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 550mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 15V |
| 电容@ Vr, F： | 25pF @ 5V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-666 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
     2003 May 01 4 NXP Semiconductors Product data sheet Schottky barrier diode BAT960 GRAPHICAL DATA 103handbook, halfpage 0.6 0 0.40.2 VF (V) IF (mA) 102 10 1 10?1 MHC311 (1) (2) (3) Fig.2 Forward current as a function of forward voltage; typical values. (1) Tamb = 125 °C. (2) Tamb = 85 °C. (3) Tamb = 25 °C. handbook, halfpage IR 25 1 0 5101520 (μA) VR (V) 105 104 103 102 10 MHC312 (1) (2) (3) Fig.3 Reverse current as a function of reverse voltage; typical values. (1) Tamb = 125 °C. (2) Tamb = 85 °C. (3) Tamb = 25 °C. handbook, halfpage80 0 0510 2015 VR (V) Cd (pF) 60 20 40 MHC313 Fig.4 Diode capacitance as a function of reverse voltage; typical values. f = 1 MHz; Tamb = 25 °C. |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| BAT-ANT-N-12A | 制造商:Hirschmann Electronics GmbH & Co Kg 功能描述:ACCESSORY, ANTENNA, LINEAR DIRECTIONAL FOR 802.11A, W/O CABLE, 14 DBI GAIN |
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