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参数资料
| 型号： | BAV103 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 0.2 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | GLASS, MINIMELF-2 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 108K |
| 代理商： | BAV103 |
BAV100 thru BAV103
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
Document Number 88148
14-May-02
www.vishay.com
1
Small-Signal Diodes
Maximum Ratings and Thermal Characteristics
Parameter
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
Symbol
Value
Unit
Continuous Reverse Voltage
BAV100
BAV101
BAV102
BAV103
50
100
150
200
V
R
V
Repetitive Peak Reverse Voltage
BAV100
BAV101
BAV102
BAV103
60
120
200
250
V
RRM
V
Forward DC Current at T
amb
= 25
°
C
(1)
I
F
250
mA
Rectified Current (Average)
Half Wave Rectification with Resist. Load
at T
amb
= 25
°
C and f
≥
50Hz
(1)
I
F(AV)
200
mA
Repetitive Peak Forward Current
at f
≥
50Hz,
θ
= 180
°
, T
amb
= 25
°
C
(1)
I
FRM
625
mA
Surge Forward Current at t < 1s, T
j
= 25
°
C
Power Dissipation at T
amb
= 25
°
C
(1)
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
(1)
I
FSM
1
A
P
tot
400
mW
R
θ
JA
375
°
C/W
Junction Temperature
Storage Temperature Range
(1)
T
j
175
°
C
T
S
–
65 to +175
°
C
Note:
(1) Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature
.146 (3.7)
.130 (3.3)
.019 (0.48)
.011 (0.28)
Cathode Band
.051 (1.3)
.063 (1.6)Dia.
Features
Silicon Epitaxial Planar Diodes
For general purpose
These diodes are also available in other case
styles including: the DO-35 case with the type
designations BAV19 to BAV21, the SOD-123 case
with the type designations BAV19W to BAV21W,
the SOT-23 case with the type designations
BAS19 to BAS21, and the SOD-323 case with
type designations BAV19WS to BAV21WS.
Mechanical Data
Case:
MiniMELF Glass Case (SOD-80C)
Weight:
approx. 0.05g
Cathode Band Color:
Yellow
Packaging Codes/Options:
F4/10K per 13
”
reel (8mm tape), 50K/box
MiniMELF (SOD-80C)
Dimensions in inches and (millimeters)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAV170T-13 | 0.215 A, 85 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| BAV19WRH | 0.2 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| BAV19WS/D6 | 0.2 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| BAV20WS/D5 | 0.2 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| BAV21WS/D5 | 0.2 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAV103 /T3 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAV103 _R1 _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
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| BAV103 L1 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 2-Pin Mini-MELF 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 2-Pin Mini-MELF |
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