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参数资料
| 型号： | BAV99W-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 80K |
| 描述： | DIODE DUAL SW 75V 200MW SC70-3 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2.5µA @ 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 150mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 1 对串联 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SOT-323 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | BAV99WCT BAV99WCT-ND BAV99WDICT |
BAV99W
Document number: DS30045 Rev. 11 - 2
2 of 3
www.diodes.com
November 2011
? Diodes Incorporated
BAV99W
Maximum Ratings
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Value Unit
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
VRM
100 V
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
75 V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
53 V
Forward Continuous Current (Note 5)
IFM
300 mA
Average Rectified Output Current (Note 5)
IO
150 mA
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0μs
(Note 5) @ t = 1.0s
IFSM
2.0
1.0
A
Thermal Characteristics
Characteristic Symbol Value Unit
Power Dissipation (Note 5)
PD
200 mW
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 5)
RθJA
625
°C/W
Operating and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-65 to +150
°C
Electrical Characteristics
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Min Max Unit Test Condition
Reverse Breakdown Voltage (Note 6)
V(BR)R
75
?
V
IR
= 2.5
μA
Forward Voltage
VF
0.55
?
?
?
0.70
0.855
1.0
1.25
V
IF
= 1.0mA
IF
= 10mA
IF
= 50mA
IF
= 150mA
Reverse Current (Note 6)
IR
?
2.5
50
30
25
μA
μA
μA
nA
VR
= 75V
VR
= 75V, T
J
= 150
°C
VR
= 25V, T
J
= 150
°C
VR
= 20V
Total Capacitance
CT
?
2.0 pF VR
= 0, f = 1.0MHz
Reverse Recovery Time
trr
?
4.0 ns IF
= I
R
= 10mA,
Irr = 0.1 x IR, RL
= 100
Ω
Notes: 5. Device mounted on FR-4 PC board with recommended pad layout, which can be found on our website at http://www.diodes.com.
6. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
00140 80
20160 200
50
100
150
200
250
P
,
P
O
WE
R
DISSI
P
A
T
I
O
N (mW)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE ( C)A
°
Fig. 1 Power Derating Curve, Total Package
0.1
1
0.01
0.001
0
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)F
1.5
1.0
0.5
I, INS
T
AN
T
ANE
O
U
S
F
O
R
WA
R
D
C
U
R
R
EN
T
(A)
F
Fig. 2 Typical Forward Characteristics, Per Element
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PDF描述 |
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参数描述 |
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