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参数资料
| 型号： | BC182RL1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 133K |
| 代理商： | BC182RL1 |
Amplifier Transistors
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
BC182
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
50
Vdc
Collector–Base Voltage
VCBO
60
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEBO
6.0
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
100
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
350
2.8
mW
mW/
°C
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.0
8.0
Watts
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
357
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
125
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 2.0 mA, IB = 0)
V(BR)CEO
50
—
V
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 10 mA, IE = 0)
V(BR)CBO
60
—
V
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 100 mA, IC = 0)
V(BR)EBO
6.0
—
V
Collector Cutoff Current
(VCB = 50 V, VBE = 0)
ICBO
—
0.2
15
nA
Emitter–Base Leakage Current
(VEB = 4.0 V, IC = 0)
IEBO
—
15
nA
ON Semiconductort
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
May, 2001 – Rev. 2
190
Publication Order Number:
BC182/D
BC182
BC182A
BC182B
CASE 29–11, STYLE 17
TO–92 (TO–226AA)
1
2
3
COLLECTOR
1
2
BASE
3
EMITTER
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC489ARLRA | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| BC490ARL1 | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| BC557RLRA | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| BC857C/T3 | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| BC857B/T4 | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BC183 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 30V 100mA HFE/8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC183 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-92 |
| BC183_D26Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC183_D27Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC183_D75Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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