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参数资料
| 型号： | BC182RL1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 133K |
| 代理商： | BC182RL1 |
BC182
http://onsemi.com
192
2.0
1.5
1.0
0.2
0.3
0.4
0.6
0.8
200
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mAdc)
Figure 1. Normalized DC Current Gain
h FE
,NORMALIZED
DC
CURRENT
GAIN
VCE = 10 V
TA = 25°C
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.2
0.1
0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
20 30 50 70 100
IC, COLLECTOR CURRENT (mAdc)
Figure 5. “Saturation” and “On” Voltages
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
TA = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(on) @ VCE = 10 V
VCE(sat) @ IC/IB = 10
400
20
30
40
60
80
100
200
300
0.5
1.0
0.7
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
IC, COLLECTOR CURRENT (mAdc)
Figure 6. Current–Gain — Bandwidth Product
f T
,CURRENT-GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
10
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
0.4 0.6 0.8 1.0
2.0
4.0 6.0 8.0 10
20
40
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitances
VCE = 10 V
TA = 25°C
Cib
Cob
r b
,BASE
SPREADING
RESIST
ANCE
(OHMS)
170
160
150
140
130
120
10
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mAdc)
Figure 8. Base Spreading Resistance
VCE = 10 V
f = 1.0 kHz
TA = 25°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC489ARLRA | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| BC857C/T3 | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| BC857B/T4 | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| BC183 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 30V 100mA HFE/8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC183 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-92 |
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| BC183_D27Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC183_D75Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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