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参数资料
| 型号： | BC847B-13 |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | BC847B-13 |
DS11108 Rev. 17 - 2
3 of 4
BC846A-BC848C
www.diodes.com
0
50
100
25
50
75
100
125
150
175
200
P
,
POWER
D
ISSIP
A
TION
(mW)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
A
Fig. 1, Max Power Dissipation vs
Ambient Temperature
150
200
250
300
350
0
1
0.1
10
100
1000
V
,
COLLECT
OR
T
O
EMITTER
CE(SA
T
)
SA
TURA
TION
V
OL
T
A
GE
(V)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 2 Collector Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
T= 25°C
A
T = -50°C
A
T = 150°C
A
0
0.1
0.2
0.3
0.4
I
C
I
B
=20
1
10
100
1000
1
10
100
1000
h
,
DC
CURRENT
GAIN
FE
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 3, DC Current Gain vs. Collector Current
T = 150°C
A
T = -50°C
A
T= 25°C
A
1
100
10
1000
1
10
100
f
,
GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 4, Gain Bandwidth Product vs Collector Current
V= 5V
CE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC848B-13 | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BC857AW-13 | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BC857A | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| BC879,112 | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| BCL-112-PL | COPPER ALLOY, TIN FINISH, WIRE TERMINAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| BC847B-1F | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SOT23 NPN SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS |
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| BC847B-7 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC847B-7-F | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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