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参数资料
| 型号： | BC857A |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 170K |
| 代理商： | BC857A |
www.vishay.com
6
Document Number 85135
Rev. 1.2, 08-Sep-04
VISHAY
BC856 to BC859
Vishay Semiconductors
Figure 3. DC Current Gain vs. Collector Current
Figure 4. Collector-Base Cutoff Curent vs. Ambient Temperature
Figure 5. Collector Current vs. Base-Emitter Voltage
10
3
2
10
1
2
10
-1
-2
hFE
-IC
19183
-V
= 5 V
CE
100 °C
-50°C
T= 25 °C
amb
2
-1
10
1
10
3
10
4
nA
0
100
200 °C
test voltage - V
:
equal to the given
maximum value - V
CBO
CEO
typical
maximum
19184
-ICBO
Tj
10
2
10
-1
1
0
0.5
1V
-IC
-VBE
mA
-V
= 5 V
CE
T= 25 °C
amb
19197
Figure 6. Collector Saturation Voltage vs. Collector Current
Figure 7. Collector Base Capacitance, Emitter base Capacitance
vs. Bias Voltage
Figure 8. Relative h-Parameters vs. Collector Current
25 °C
-50 °C
T
= 100 °C
amb
-I /-I = 20
C B
-VCEsat
-IC
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
V
1
2
10
10-1
mA
19187
pF
20
10
0
0.1
1
10 V
T= 25 °C
amb
CEBO
CCBO
CEBO
CCBO
-VEBO
-VCBO,
19186
10
1
10
1
-IC
10 mA
102
-1
10-1
h
(-I
=
2
mA)
e
C
h
(-I
)
e
C
hie
hoe
hre
hfe
-V
=5V
CE
T= 25 °C
amb
19188
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC879,112 | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| BCL-112-PL | COPPER ALLOY, TIN FINISH, WIRE TERMINAL |
| BCL-30516-PL | COPPER ALLOY, TIN FINISH, WIRE TERMINAL |
| BCL-C18LMYG | 18 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TELECOM AND DATACOM CONNECTOR, SURFACE MOUNT |
| BCL-C18SPFSG1 | 18 CONTACT(S), FEMALE, STRAIGHT TELECOM AND DATACOM CONNECTOR, SOLDER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BC857A _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
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| BC857A T/R | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857A,215 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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