型号: | BC858ATR13LEADFREE |
厂商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 103K |
代理商: | BC858ATR13LEADFREE |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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BC858BKLEADFREE | 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
BC850BTR13 | 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
BC850BTR | 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
BC847B-13 | 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
BC848B-13 | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BC858AW _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
BC858AW RF | 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
BC858AW_ R2 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
BC858AW-7 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
BC858AW-7-F | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |