参数资料
型号: BC858ATR13LEADFREE
厂商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件页数: 1/1页
文件大小: 103K
代理商: BC858ATR13LEADFREE
相关PDF资料
PDF描述
BC858BKLEADFREE 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC850BTR13 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC850BTR 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC847B-13 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC848B-13 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
BC858AW _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
BC858AW RF 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC858AW_ R2 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
BC858AW-7 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC858AW-7-F 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2