参数资料
| 型号： | BD3508MUV-E2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 5/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG LDO ADJ 3A 20QFN |
| 标准包装： | 2,500 |
| 稳压器拓扑结构： | 正，可调式 |
| 输出电压： | 0.65 V ~ 2.7 V |
| 输入电压： | 0.75 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 压降（标准）： | 0.065 @ 1A |
| 稳压器数量： | 1 |
| 电流 - 输出： | 3A（最小） |
| 工作温度： | -10°C ~ 100°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 20-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 20-VQFN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
BD3508MUV,BD3509MUV
● Reference Data
BD3508MUV
Technical Note
Vo
Vo
Vo
50mV/div
Io
45mV
3.0A
50mV/div
Io
64mV
3.0A
100mV/div
Io
3A
91mV
2A/div
2A/div
2A/div
Io=0A → 3A/3μsec
t(5μsec/div)
Io=0A → 3A/3μsec
t(5μsec/div)
Io=0A → 3A/3μsec
t(5μsec/div)
Fig.1 Transient Response
(0 → 3A)
Co=150μF × 2, C FB =0.01uF
Fig.2 Transient Response
(0 → 3A)
Co=150μF
Fig.3 Transient Response
(0 → 3A)
Co=47μF, C FB =0.01uF
Vo
55mV
Vo
79mV
Vo
87mV
50mV/div
50mV/div
100mV/div
Io
2A/div
3.0A
Io
2A/div
3.0A
Io
2A/div
3A
Io=3A → 0A/3μsec
t(5μsec/div)
Io=3A → 0A/3μsec
t(5μsec/div)
Io=3A → 0A/3μsec
t(5μsec/div)
Fig.4 Transient Response
(3 → 0A)
Co=150μF × 2
Ven
2V/div
VNRCS
2V/div
Vo
1V/div
t(200μsec/div)
Fig.7: Waveform at output start
VCC
Ven
VIN
Vo
VIN → VCC → Ven
Fig.10 Input sequence
www.rohm.com
? 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Ven
2V/div
VNRCS
2V/div
Vo
1V/div
VCC
Ven
VIN
Vo
Fig.5 Transient Response
(3 → 0A)
Co=150μF
t(2msec/div)
Fig.8 Waveform at output OFF
Ven → VCC → VIN
Fig.11 Input sequence
5/20
VCC
Ven
VIN
Vo
VCC
Ven
VIN
Vo
Fig.6 Transient Response
(3 → 0A)
Co=47μF
VCC → VIN → Ven
Fig.9 Input sequence
VCC → Ven → VIN
Fig.12 Input sequence
2010.04 - Rev.C
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