参数资料
| 型号： | BD3508MUV-E2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 7/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG LDO ADJ 3A 20QFN |
| 标准包装： | 2,500 |
| 稳压器拓扑结构： | 正，可调式 |
| 输出电压： | 0.65 V ~ 2.7 V |
| 输入电压： | 0.75 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 压降（标准）： | 0.065 @ 1A |
| 稳压器数量： | 1 |
| 电流 - 输出： | 3A（最小） |
| 工作温度： | -10°C ~ 100°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 20-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 20-VQFN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
BD3508MUV,BD3509MUV
● Reference Data
BD3509MUV
Technical Note
Vo
50mV/div
Io
39mV
Vo
50mV/div
Io
51mV
Vo
100mV/div
Io
41mV
2A/div
4.0A
2A/div
4.0A
2A/div
4.0A
Io=0A → 4A/4μsec
t(10μsec/div)
Io=0A → 4A/4μsec
t(10μsec/div)
Io=0A → 4A/4μsec
t(10μsec/div)
Fig.25 Transient Response
(0 → 4A)
Co=22μF,C FB =0.01μF
37mV
Fig.26 Transient Response
(0 → 4A)
Co=100μF
Fig.27 Transient Response
(0 → 4A)
Co=47μF,C FB =0.01μF
Vo
50mV/div
Io
Vo
50mV/div
Io
41mV
Vo
50mV/div
Io
39mV
2A/div
4.0A
2A/div
4.0A
2A/div
4.0A
Io=4A → 0A/4μsec
t(100μsec/div)
Io=4A → 0A/4μsec
t(100μsec/div)
Io=4A → 0A/4μsec
t(100μsec/div)
Fig.28 Transient Response
(4 → 0A)
Co=22μF, C FB =0.01μF
VEN
2V/div
VNRCS
1V/div
Vo
1V/div
PGOOD
2V/div
t(200μsec/div)
Fig.31: Waveform at output start
VEN
VCC
VIN
Vo
VIN → VCC → VEN
Fig.34 Input sequence
www.rohm.com
? 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
VEN
2V/div
VNRCS
1V/div
Vo
1V/div
PGOOD
2V/div
VEN
VCC
VIN
Vo
Fig.29 Transient Response
(4 → 0A)
Co=100μF
t(2msec/div)
Fig.32 Waveform at output
OFF
VEN → VCC → VIN
Fig.35 Input sequence
7/20
VEN
VCC
VIN
Vo
VEN
VCC
VIN
Vo
Fig.30 Transient Response
(4 → 0A)
Co=47μF, C FB =0.01μF
VCC → VIN → VEN
Fig.33 Input sequence
VCC → VEN → VIN
Fig.36 Input sequence
2010.04 - Rev.C
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