参数资料
型号: BD3509MUV-E2
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 8/21页
文件大小: 0K
描述: IC REG LDO ADJ 4A 20QFN
标准包装: 2,500
稳压器拓扑结构: 正,可调式
输出电压: 0.65 V ~ 2.7 V
输入电压: 0.7 V ~ 5.5 V
电压 - 压降(标准): 0.028V @ 1A
稳压器数量: 1
电流 - 输出: 4A(最小)
工作温度: -10°C ~ 100°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 20-VFQFN 裸露焊盘
供应商设备封装: VQFN020V4040
包装: 带卷 (TR)
BD3508MUV,BD3509MUV
● Reference Data
1.3
1.29
Technical Note
VEN
VCC
VIN
Vo
VEN
VCC
VIN
Vo
1.28
1.27
1.26
1.25
1.24
1.23
1.22
1.21
1.2
VIN → VEN → VCC
VEN → VIN → VCC
-50 -25
0
25
50 75 100 125 150
Ta( ℃ )
1.5
1.2
0.9
0.6
0.3
0
Fig.37 Input sequence
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
Fig.38 Input sequence
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
Fig.39 Tj-Vo (Io=0mA)
-50 -25
0
25
50 75 100 125 150
Ta( ℃ )
-50 -25
0
25
50 75 100 125 150
Ta( ℃ )
0
-50 -25
0
25
50 75 100 125 150
Ta( ℃ )
0.1
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
Fig.40 Tj-ICC
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
Fig.41 Tj-ISTB
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
Fig.42 Tj-IDD
-50 -25
0
25
50 75 100 125 150
-50 -25
0
25
50 75 100 125 150
-50 -25
0
25
50 75 100 125 150
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
Ta( ℃ )
Fig.43 Tj-IDDSTB
10
8
6
4
2
0
-2
-4
-6
-8
-10
Ta( ℃ )
Fig.44 Tj-IIN
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
Ta( ℃ )
Fig.45 Tj-IINSTB
-50 -25
0
25
50 75 100 125 150
-50 -25
0
25
50 75 100 125 150
0
Ta( ℃ )
Ta( ℃ )
-50 -25
0
25
50 75 100 125 150
Ta( ℃ )
Fig.46 Tj-INRCS
www.rohm.com
? 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Fig.47 Tj-IFB
8/20
Fig.48 Tj-Ien
2010.04 - Rev.C
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