参数资料
型号: BD8621EFV-E2
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 13/17页
文件大小: 0K
描述: IC PWR SUPP 3A W/FET HTSSOP-B20
标准包装: 2,500
应用: 控制器,平面电视
输入电压: 2.8 V ~ 6 V
输出数: 1
工作温度: -10°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 20-VSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装: 20-HTSSOP-B
包装: 带卷 (TR)
BD8621EFV
600.0 ?
600.0
Technical Note
590.0 ?
580.0 ?
570.0 ?
560.0 ?
550.0 ?
540.0 ?
530.0 ?
520.0 ?
510.0 ?
500.0 ?
Ta = 25 ℃
590.0
580.0
570.0
560.0
550.0
540.0
530.0
520.0
510.0
500.0
VIN = 3.3V
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
-25
0
25
50
75
100
INPUT ? VOLTAGE ? : ? Vin ? [V]
Fig.14 Switching frequency-power-supply voltage
100.0
90.0
AMB IE NT ? T E MP E R AT UR E ? : ? T a ? [ ℃ ]
Fig.15 Switching frequency-temperature characteristic
110.00
100.00
80.0
Ta = 25 ℃
90.00
VIN = 3.3V
70.0
80.00
60.0
50.0
40.0
30.0
70.00
60.00
50.00
20.0
40.00
10.0
0.0
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
30.00
-25
0
25
50
75
100
INP UT ? VO L T AG E ? : ? V in ? [V]
Fig.16 PMOS on resistance-power-supply voltage
100.0
AMB IE NT ? T E MP E R AT UR E ? : ? T a ? [ ℃ ]
Fig.17 PMOS on resistance-temperature characteristic
90.00
90.0
80.0
80.00
VIN = 3.3V
70.0
60.0
50.0
Ta = 25 ℃
70.00
60.00
50.00
40.0
40.00
30.0
20.0
10.0
0.0
30.00
20.00
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
10.00
-25
0
25
50
75
100
1.00
INP UT ? VO L T AG E ? : ? Vin ? [V]
Fig.18 NMOS on resistance-power-supply voltage
AMB IE NT ? T E MP E R AT UR E ? : ? T a ? [ ℃ ]
Fig.19 NMOS on resistance-temperature characteristic
400.0 ?
0.90
0.80
VIN = 3.3V
350.0 ?
300.0 ?
Ta = 25 ℃
0.70
250.0 ?
0.60
0.50
200.0 ?
0.40
0.30
0.20
150.0 ?
100.0 ?
50.0 ?
V FB = 0.83V
V FC = 1.0V
SW = High
0.10
0.0 ?
0.00
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
-25
0
25 50
AMB IE NT ? T E MP E R AT UR E ? : ? T a ? [ ℃ ]
75
100
INPUT ? VOLTAGE ? : ? Vin ? [V]
Fig.20 Terminal EN H voltage-temperature characteristic
Fig.21 Circuit current-power-supply voltage characteristic
www.rohm.com
? 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.05 - Rev.A
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