参数资料
| 型号： | BD8621EFV-E2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PWR SUPP 3A W/FET HTSSOP-B20 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 应用： | 控制器，平面电视 |
| 输入电压： | 2.8 V ~ 6 V |
| 输出数： | 1 |
| 工作温度： | -10°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 20-VSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 20-HTSSOP-B |
| 包装： | 带卷 (TR) |
BD8621EFV
● Electrical characteristics
(Unless otherwise noted Ta=25 ℃ , VIN=3.3V, GND=0V)
Technical Note
Parameter
Symbol
Specification value
MIN TYP
MAX
UNIT
Condition
VIN supply current (operating) I Q_active
VIN supply current (standby) I Q_stby
Reference voltage (VREF) V REF
- 220
- 0
0.792 0.8
350
1
0.808
μ A
μ A
V
V FB = 0.83V, V FC = 1V
V EN = 0V
Output rise detection voltage V OVP
30
60
90
mV
Monitoring FB
terminal
Output decrease detection voltage
V LVP
-90
-60
-30
mV
Monitoring FB
terminal
Terminal PDET output current I PDET
0.4 - - mA
V PDET < 0.3V
Oscillation frequency
Pch FET ON resistance
f OSC
R PFET
500 550 600 kHz
- 75 110 m ?
R RT = 220k ?
I SW = 1A
Nch FET ON resistance
R NFET
- 55 90
m Ω
I SW = 1A
UVLO voltage
V UVLO
2.35 2.50 2.65 V
SW leak current
I LSW
- 0 1
μ A V EN = 0V, V IN = 5.5V
EN terminal H threshold voltage V ENH
EN terminal L threshold voltage V ENL
1.1 - - V
- - 0.4 V
FC sink current
FC source current
I FCSI
I FCSO
10 20 -
- -20 -10
μ A
μ A
SS/DELAY terminal source current I SSSO
2 4 6
μ A
Terminal PDET pull-up resistor R PDET
100 170 250 k ?
V FB :FB terminal voltage, V EN :EN terminal voltage, V FC :FC terminal voltage, V PDET : PDET terminal voltage
Current capability should not exceed Pd.
www.rohm.com
? 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.05 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BD8622EFV-E2 | IC PWR SUPP 3A W/FET HTSSOP-B20 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| BD8624EFV | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Built-in 1ch FET Synchronous Rectification Type DC/DC converters |
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