参数资料
| 型号： | BD88415GUL-E2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 12/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC HEADPHONE AMP 2-CH 14CSP |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | AB 类 |
| 输出类型： | 耳机，2-通道（立体声） |
| 在某负载时最大输出功率 x 通道数量： | 80mW x 2 @ 16 欧姆 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 5.5 V |
| 特点： | 短路和热保护，关闭 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 供应商设备封装： | VCSP50L2 |
| 封装/外壳： | 14-UFBGA，WLCSP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BD88415GUL-E2DKR |
74AHC_AHCT1G14_6
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 06 — 18 May 2009
6 of 15
NXP Semiconductors
74AHC1G14; 74AHCT1G14
Inverting Schmitt trigger
12. Dynamic characteristics
[1]
tpd is the same as tPLH and tPHL.
[2]
Typical values are measured at VCC = 3.3 V.
[3]
Typical values are measured at VCC = 5.0 V.
[4]
CPD is used to determine the dynamic power dissipation PD (W).
PD =CPD × VCC2 × fi + ∑(CL × VCC2 × fo) where:
fi = input frequency in MHz;
fo = output frequency in MHz;
CL = output load capacitance in pF;
VCC = supply voltage in Volts.
Table 9.
Dynamic characteristics
Symbol Parameter
Conditions
25
°C
40 °C to +85 °C 40 °C to +125 °C Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
Min
Max
For type 74AHC1G14
tpd
propagation
delay
A to Y;
VCC = 3.0 V to 3.6 V
CL = 15 pF
-
4.2
12.8
1.0
15.0
1.0
16.5
ns
CL = 50 pF
-
6.0
16.3
1.0
18.5
1.0
20.5
ns
VCC = 4.5 V to 5.5 V
CL = 15 pF
-
3.2
8.6
1.0
10.0
1.0
11.0
ns
CL = 50 pF
-
4.6
10.6
1.0
12.0
1.0
13.5
ns
CPD
power
dissipation
capacitance
per buffer;
CL =50pF;f=1 MHz;
VI = GND to VCC
-12-
-
pF
For type 74AHCT1G14
tpd
propagation
delay
A to Y;
VCC = 4.5 V to 5.5 V
CL = 15 pF
-
4.1
7.0
1.0
8.0
1.0
9.0
ns
CL = 50 pF
-
5.9
8.5
1.0
10.0
1.0
11.0
ns
CPD
power
dissipation
capacitance
per buffer;
VI = GND to VCC
-13-
-
pF
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