参数资料
| 型号： | BD88415GUL-E2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 15/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC HEADPHONE AMP 2-CH 14CSP |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | AB 类 |
| 输出类型： | 耳机，2-通道（立体声） |
| 在某负载时最大输出功率 x 通道数量： | 80mW x 2 @ 16 欧姆 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 5.5 V |
| 特点： | 短路和热保护，关闭 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 供应商设备封装： | VCSP50L2 |
| 封装/外壳： | 14-UFBGA，WLCSP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BD88415GUL-E2DKR |
74AHC_AHCT1G14_6
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 06 — 18 May 2009
9 of 15
NXP Semiconductors
74AHC1G14; 74AHCT1G14
Inverting Schmitt trigger
14. Application information
The slow input rise and fall times cause additional power dissipation, which can be
calculated using the following formula:
Padd =fi × (tr ×ICC(AV) +tf ×ICC(AV)) × VCC where:
Padd = additional power dissipation (W);
fi = input frequency (MHz);
tr = input rise time (ns); 10 % to 90 %;
tf = input fall time (ns); 90 % to 10 %;
I
CC(AV) = average additional supply current (A).
Average additional ICC differs with positive or negative input transitions, as shown in
Figure 14 and Figure 15.
For 74AHC1G14 and 74AHCT1G14 used in relaxation oscillator circuit, see Figure 16.
Note to the application information:
1. All values given are typical unless otherwise specied.
Fig 12. Typical 74AHCT1G14 transfer characteristics;
VCC = 4.5 V
Fig 13. Typical 74AHCT1G14 transfer characteristics;
VCC = 5.5 V
05
VI (V)
ICC
(mA)
5
0
1
mna404
2
3
4
1234
02
6
8
0
2
4
6
mna405
4
VI (V)
ICC
(mA)
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PDF描述 |
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参数描述 |
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