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参数资料
| 型号： | BD9533EKN-E2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 5/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG SW VAR SOFT START 20-HQFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | H³Reg™ |
| 应用： | 转换器，DDR SDRAM |
| 输入电压： | 4.5 V ~ 28 V |
| 输出数： | 1 |
| 输出电压： | 0.7 V ~ 2 V |
| 工作温度： | -10°C ~ 100°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 20-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 20-HQFN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1373 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BD9533EKN-E2DKR |
● Reference Data
54
350
400
52
50
48
330
310
290
270
360
320
280
240
Io=2A
Io=0A
ILIM=0.5V
46
-10
10
30
50
Te [ ℃ ]
70
90
250
-10
10
30
50
Ta( ℃ )
70
90
200
0
5
10 15
VIN(V)
20
25
100
Fig.13 Ta vs current limit
threshould
Fig.14 Ta vs Frequency
100
100
Fig.15 V IN vs Frequency
80
60
SLLM
Continuous
80
60
SLLM
80
60
SLLM
mode
40
20
0
40
20
0
Continuous
mode
40
20
0
Continuous
mode
1
10
100
Io(mA)
1000
10000
1
10
100
Io(mA)
1000
10000
1
10
100
Io(mA)
1000
10000
Fig.16 Io vs Efficiency
(V IN =7V)
VOUT
HG/LG
IOUT
Fig.19 Load Transient
Response (V IN =7V)
VOUT
HG/LG
IOUT
Fig.22 Load Transient
Response (V IN =7V)
Fig.17 Io vs Efficiency
(V IN =12V)
VOUT
HG/LG
IOUT
Fig.20 Load Transient Response
(V IN =12V)
VOUT
HG/LG
IOUT
Fig.23 Load Transient Response
(V IN =12V)
5/20
Fig.18 Io vs Efficiency
(V IN =20V)
VOUT
HG/LG
IOUT
Fig.21 Load Transient
Response (V IN =19V)
VOUT
HG/LG
IOUT
Fig.24 Load Transient
Response (V IN =19V)
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PDF描述 |
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