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参数资料
| 型号： | BF1100 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | N-channel dual-gate MOSFET |
| 封装： | BF1100<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,; |
| 文件页数： | 11/15页 |
| 文件大小： | 311K |
| 代理商： | BF1100 |
NXP
Semiconductors
Product specification
Dual-gate MOS-FETs
BF1100; BF1100R
Fig.27 Cross-modulation test set-up.
For V
GG
= V
DS
= 9 V, R
G
= 180 k
.
For V
GG
= V
DS
= 12 V, R
G
= 250 k
.
handbook, full pagewidth
DUT
VAGC
C1
4.7 nF
R1
10 k
MGC420
C4
4.7 nF
L1
450 nH
≈
C3
12 pF
RL
50
VGG
VDS
RGEN
50
VI
R2
50
4.7 nF
C2
RG
Rev. 02 - 13 November 2007
11 of 15
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF1100 | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1100R | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1100R | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1101 | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1101 | N-channel dual-gate MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF1100,215 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
| BF1100/R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Dual-Gate MOS-FETs |
| BF1100/WR | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Dual-Gate MOS-FETs |
| BF1100R | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Dual-gate MOS-FETs |
| BF1100R,215 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
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