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参数资料
| 型号： | BF1100 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | N-channel dual-gate MOSFET |
| 封装： | BF1100<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,; |
| 文件页数： | 13/15页 |
| 文件大小： | 311K |
| 代理商： | BF1100 |
NXP
Semiconductors
Product specification
Dual-gate MOS-FETs
BF1100; BF1100R
PACKAGE OUTLINES
Fig.28 SOT143.
Dimensions in mm.
handbook, full pagewidth
MBC845
10
max
o
10
max
o
30
max
o
1.1
max
0.75
0.60
0.150
0.090
0.1
max
4
3
2
M
0.1
A B
0
0.1
0.48
TOP VIEW
1.4
1.2
2.5
max
3.0
2.8
M
0.2
A B
A
B
1.9
1
0
0.1
0.88
1.7
Fig.29 SOT143R.
Dimensions in mm.
handbook, full pagewidth
MBC844
10
max
o
10
max
o
30
max
o
1.1
max
0.40
0.25
0.150
0.090
0.1
max
3
4
2
1.4
1.2
2.5
max
3.0
2.8
A
B
1.9
M
0.2
A
1
M
0.1
B
TOP VIEW
0.48
0.38
0.88
0.78
1.7
Rev. 02 - 13 November 2007
13 of 15
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF1100 | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1100R | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1100R | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1101 | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1101 | N-channel dual-gate MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF1100,215 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
| BF1100/R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Dual-Gate MOS-FETs |
| BF1100/WR | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Dual-Gate MOS-FETs |
| BF1100R | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Dual-gate MOS-FETs |
| BF1100R,215 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
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