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参数资料
型号： BF1100
厂商： NXP Semiconductors N.V.
元件分类： 功率晶体管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封装： BF1100<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;
文件页数： 12/15页
文件大小： 311K
代理商： BF1100
NXP
Semiconductors
Product specification
Dual-gate MOS-FETs
BF1100; BF1100R
Table 1
Scattering parameters: V
DS
= 9 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 10 mA
Table 2
Noise data: V
DS
= 9 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 10 mA
Table 3
Scattering parameters: V
DS
= 12 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 10 mA
Table 4
Noise data: V
DS
= 12 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 10 mA
f
(MHz)
s
11
s
21
s
12
s
22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
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7.4
14.7
21.8
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ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
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Rev. 02 - 13 November 2007
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