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参数资料
| 型号： | BF1100 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | N-channel dual-gate MOSFET |
| 封装： | BF1100<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,; |
| 文件页数： | 3/15页 |
| 文件大小： | 311K |
| 代理商： | BF1100 |
NXP
Semiconductors
Product specification
Dual-gate MOS-FETs
BF1100; BF1100R
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Device mounted on a printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
DS
I
D
I
G1
I
G2
P
tot
drain-source voltage
drain current
gate 1 current
gate 2 current
total power dissipation
BF1100
BF1100R
storage temperature
operating junction temperature
14
30
±
10
±
10
V
mA
mA
mA
see Fig.3
up to T
amb
= 50
°
C; note 1
up to T
amb
= 40
°
C; note 1
65
200
200
+150
+150
mW
mW
°
C
°
C
T
stg
T
j
Fig.3 Power derating curves.
handbook, halfpage
(mW)
0
50
100
200
0
200
MLD155
150
150
100
50
amb
o
BF1100R
BF1100
Fig.4
Forward transfer admittance as a function
of junction temperature; typical values.
50
0
50
150
40
0
MLD156
100
30
20
10
Yfs
(mS)
Tj
o
Rev. 02 - 13 November 2007
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF1100R | N-channel dual-gate MOSFET |
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| BF1101 | N-channel dual-gate MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF1100,215 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
| BF1100/R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Dual-Gate MOS-FETs |
| BF1100/WR | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Dual-Gate MOS-FETs |
| BF1100R | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Dual-gate MOS-FETs |
| BF1100R,215 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
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