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参数资料
型号： BF1100WR
厂商： NXP Semiconductors N.V.
元件分类： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封装： BF1100WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2002,;
文件页数： 12/14页
文件大小： 100K
代理商： BF1100WR
1995 Apr 25
12
Philips Semiconductors
Product specification
Dual-gate MOS-FET
BF1100WR
Table 1
Scattering parameters: V
DS
= 9 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 10 mA
Table 2
Noise data: V
DS
= 9 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 10 mA
Table 3
Scattering parameters: V
DS
= 12 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 10 mA
Table 4
Noise data: V
DS
= 12 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 10 mA
f
(MHz)
s
11
s
21
s
12
s
22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
3.9
7.3
14.4
21.6
28.3
34.9
41.7
47.9
54.0
59.7
65.4
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
1.9
4.0
7.6
11.3
15.0
18.5
22.0
25.3
28.8
32.1
35.5
50
0.985
0.981
0.975
0.965
0.947
0.927
0.913
0.890
0.869
0.845
0.823
2.618
2.602
2.577
2.555
2.513
2.449
2.339
2.361
2.302
2.228
2.167
175.1
170.5
160.7
151.6
141.8
133.4
124.6
115.4
106.4
97.6
89.6
0.001
0.001
0.002
0.002
0.003
0.003
0.003
0.003
0.003
0.003
0.003
137.9
80.4
74.0
79.3
80.5
82.8
78.9
80.6
93.9
104.8
129.3
1.000
0.999
0.995
0.994
0.992
0.988
0.984
0.982
0.979
0.976
0.974
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
f
(MHz)
F
min
(dB)
Γ
opt
r
n
(ratio)
(deg)
800
2.00
0.67
43.9
0.89
f
(MHz)
s
11
s
21
s
12
s
22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
3.7
7.4
14.6
21.5
28.5
35.0
41.6
47.8
53.8
59.8
65.7
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
1.6
3.3
6.4
9.3
12.4
15.3
18.1
20.9
23.7
26.5
29.3
50
0.985
0.980
0.973
0.962
0.946
0.929
0.912
0.895
0.868
0.845
0.823
2.576
2.563
2.541
2.519
2.479
2.419
2.373
2.336
2.284
2.213
2.160
175.3
170.9
161.6
152.9
143.5
135.5
127.2
118.7
110.0
101.6
94.1
0.000
0.001
0.002
0.002
0.003
0.003
0.003
0.003
0.003
0.003
0.003
125.0
111.2
83.0
85.2
79.4
78.2
80.0
83.4
91.3
95.9
112.2
1.000
1.000
0.997
0.996
0.995
0.991
0.989
0.987
0.985
0.983
0.981
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
f
(MHz)
F
min
(dB)
Γ
opt
r
n
(ratio)
(deg)
800
2.00
0.66
43.3
0.97
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