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参数资料
| 型号： | BF1100WR |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | N-channel dual-gate MOSFET |
| 封装： | BF1100WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2002,; |
| 文件页数： | 6/14页 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | BF1100WR |
1995 Apr 25
6
Philips Semiconductors
Product specification
Dual-gate MOS-FET
BF1100WR
Fig.6 Output characteristics; typical values.
V
G2-S
= 4 V.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(mA)
0
16
4
8
12
0
4
16
MLD159
8
12
VDS
1.3 V
1.2 V
1.1 V
1.0 V
0.9 V
VG1 S
Fig.7 Transfer characteristics; typical values.
V
DS
= 9 to 12 V.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(mA)
0
16
4
8
12
0
0.4
2.0
MLD160
0.8
1.2
1.6
VG1 S
VG2 S
2.5 V
2 V
1.5 V
1 V
3 V
Fig.8
Gate 1 current as a function of gate 1
voltage; typical values.
V
DS
= 9 to 12 V.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(
μ
A)
0
1
2
3
200
150
50
0
100
MLD161
VG1 S
3 V
2.5 V
2 V
3.5 V
VG2 S
Fig.9
Forward transfer admittance as a function
of drain current; typical values.
V
DS
= 9 to 12 V.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
yfs
(mS)
0
20
30
10
0
10
20
30
MLD162
ID
3 V
2.5 V
2 V
VG2 S
3.5 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF1100WR | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1100 | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1100 | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1100R | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1100R | N-channel dual-gate MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF1100WR,115 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
| BF1101 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual-gate MOS-FETs |
| BF1101,215 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
| BF1101R | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual-gate MOS-FETs |
| BF1101R,215 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
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