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参数资料
| 型号： | BF1207 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| 封装： | BF1207<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件页数： | 18/23页 |
| 文件大小： | 270K |
| 代理商： | BF1207 |
BF1207
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 7 September 2011
18 of 23
NXP Semiconductors
BF1207
Dual N-channel dual gate MOSFET
9. Test information
Fig 29. Cross-modulation test set-up for amplifier A
50
Ω
10 k
Ω
RGEN
50
Ω
50
Ω
RG1
4.7 nF
4.7 nF
4.7 nF
G2
S
G1A
DA
DB
4.7 nF
4.7 nF
4.7 nF
G1B
BF1207
V
GG
5 V
V
DS(A)
5 V
V
DS(B)
5V
V
AGC
L2
2.2
μ
H
L1
2.2
μ
H
RL
50
Ω
001aac907
Vi
Fig 30. Cross-modulation test set-up for amplifier B
50
Ω
10 k
Ω
RGEN
50
Ω
RL
50
Ω
50
Ω
RG1
4.7 nF
4.7 nF
4.7 nF
G2
S
G1A
DA
DB
4.7 nF
4.7 nF
4.7 nF
G1B
BF1207
V
GG
0 V
V
DS(A)
5 V
V
DS(B)
5V
V
AGC
L2
2.2
μ
H
L1
2.2
μ
H
001aac908
Vi
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| BF1208D | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| BF1207,115 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
| BF1208 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel dual gate MOSFET |
| BF1208 T/R | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
| BF1208,115 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
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