- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录378411 > BF1210 (NXP Semiconductors N.V.) Dual N-channel dual-gate MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | BF1210 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| 封装： | BF1210<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件页数： | 21/21页 |
| 文件大小： | 252K |
| 代理商： | BF1210 |
NXP Semiconductors
BF1210
Dual N-channel dual gate MOSFET
NXP B.V. 2006.
All rights reserved.
For more information, please visit: http://www.nxp.com
For sales office addresses, please send an email to: salesaddresses@nxp.com
Date of release: 25 October 2006
Document identifier: BF1210_1
Please be aware that important notices concerning this document and the product(s)
described herein, have been included in section ‘Legal information’.
15. Contents
1
1.1
1.2
1.3
1.4
2
3
4
5
6
7
8
8.1
8.1.1
8.1.2
8.2
8.3
8.3.1
8.3.2
8.4
9
10
11
12
13
13.1
13.2
13.3
13.4
14
15
Product profile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
General description. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Quick reference data. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Pinning information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Ordering information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Marking. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Limiting values. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Thermal characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Static characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Dynamic characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Dynamic characteristics for amplifier A. . . . . . . 4
Graphs for amplifier A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
Scattering parameters for amplifier A . . . . . . . 11
Noise data for amplifier A . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Dynamic characteristics for amplifier B. . . . . . 11
Graphs for amplifier B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Scattering parameters for amplifier B . . . . . . . 17
Noise data for amplifier B . . . . . . . . . . . . . . . . 17
Test information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
Package outline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
Abbreviations. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
Revision history. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
Legal information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
Data sheet status . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
Definitions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
Disclaimers. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
Trademarks. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
Contact information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
Contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF1211 | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1211 | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1211R | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1211WR | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1211R | N-channel dual-gate MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF1210 T/R | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
| BF1210,115 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
| BF-1210-05SV | 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:CONNECTOR - Bulk |
| BF-1210-05SV06 | 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:CONNECTOR - Bulk |
| BF-1210-05SV06-Y103 | 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:MIL-C-83723 FIREWALL - Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。