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参数资料
| 型号： | BF1212R |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | N-channel dual-gate MOSFET |
| 封装： | BF1212R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47, 2002,; |
| 文件页数： | 1/16页 |
| 文件大小： | 429K |
| 代理商： | BF1212R |
DATA SHEET
Product specification
2003 Nov 14
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BF1212; BF1212R; BF1212WR
N-channel dual-gate MOS-FETs
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF1212WR | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1214 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1214 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1215 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1216 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF1212R,215 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 N-CH DUAL GATE 6V RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
| BF1212WR | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual-gate MOS-FETs |
| BF1212WR,115 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 N-CH DUAL GATE 6V RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
| BF1214 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel dual gate MOSFET |
| BF1214 T/R | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
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