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参数资料
| 型号： | BF1212WR |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | N-channel dual-gate MOSFET |
| 封装： | BF1212WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<Always Pb-free,;BF1212WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<Alwa |
| 文件页数： | 13/16页 |
| 文件大小： | 429K |
| 代理商： | BF1212WR |
2003 Nov 14
13
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1212; BF1212R; BF1212WR
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT343R
D
A
A1
Lp
Q
detail X
c
HE
E
v
M
A
A
B
0
1
2 mm
scale
X
2
1
4
3
Plastic surface-mounted package; reverse pinning; 4 leads
SOT343R
w
M
B
97-05-21
06-03-16
bp
UNIT
A1
max
bp
c
D
E
b1
HE
Lp
Q
w
v
mm
0.1
1.1
0.8
0.4
0.3
0.25
0.10
0.7
0.5
2.2
1.8
1.35
1.15
e
2.2
2.0
1.3
e1
0.2
y
0.1
0.2
1.15
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.45
0.15
0.23
0.13
e1
A
e
y
b1
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PDF描述 |
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| BF1214,115 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
| BF1214/L,115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:- Tape and Reel |
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