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参数资料
型号： BF1214
厂商： NXP Semiconductors N.V.
元件分类： MOSFETs
英文描述： Dual N-channel dual-gate MOSFET
封装： BF1214<SOT363 (TSSOP6)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,;BF1214/L<SOT363 (TSSOP6)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-fr
文件页数： 16/18页
文件大小： 211K
代理商： BF1214
BF1214_1
NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 30 October 2007
16 of 18
NXP Semiconductors
BF1214
Dual N-channel dual gate MOSFET
11. Abbreviations
12. Revision history
Table 13.
Acronym
AGC
DC
MOSFET
UHF
VHF
Abbreviations
Description
Automatic Gain Control
Direct Current
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
Ultra High Frequency
Very High Frequency
Table 14.
Document ID
BF1214_1
Revision history
Release date
20071030
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
-
Supersedes
-
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
BF1214 T/R 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel
BF1214,115 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel
BF1214/L,115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:- Tape and Reel
BF-1214-07SV-Y70 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:MIL-C-83723 FIREWALL - Bulk
BF1215,115 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Channel 6V 30mA 180mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel
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