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参数资料
| 型号： | BF245B,126 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 7/13页 |
| 文件大小： | 286K |
| 描述： | JFET N-CH 30V 25MA TO-92 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 晶体管类型： | N 通道 JFET |
| 频率： | 100MHz |
| 电压 - 测试： | 15V |
| 额定电流： | 15mA |
| 噪音数据： | 1.5dB |
| 电压 - 额定： | 30V |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带盒（TB） |
| 其它名称： | 933114330126 BF245B AMO BF245B AMO-ND |
1996 Jul 30
3
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel silicon field-effect transistors BF245A; BF245B; BF245C
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1. Device mounted on a printed-circuit board, minimum lead length 3 mm, mounting pad for drain lead minimum
10 mm
?
10 mm.
THERMAL CHARACTERISTICS
STATIC CHARACTERISTICS
Tj
=25?C; unless otherwise specified.
Note
1. Measured under pulse conditions: tp
= 300
?s; ??0.02.
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT
VDS
drain-source voltage
??30 V
VGDO
gate-drain voltage
open source
??30 V
VGSO
gate-source voltage
open drain
??30 V
ID
drain current
?
25 mA
IG
gate current
?
10 mA
Ptot
total power dissipation
up to Tamb
=75?C;
?
300 mW
up to Tamb
=90?C; note 1
?
300 mW
Tstg
storage temperature
?65 +150
?C
Tj
operating junction temperature
?
150
?C
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT
Rth j-a
thermal resistance from junction
to ambient in free air 250 K/W
thermal resistance from junction to ambient 200 K/W
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT
V(BR)GSS
gate-source breakdown voltage IG
=
?1
?A; VDS
=0
?30
?
V
VGSoff
gate-source cut-off voltage ID
=10nA; VDS
=15V
?0.25
?8.0 V
VGS
gate-source voltage
ID
=200?A; VDS
=15V
BF245A
?0.4
?2.2 V
BF245B
?1.6
?3.8 V
BF245C
?3.2
?7.5 V
IDSS
drain current
VDS
=15V; VGS
=0; note1
BF245A 2 6.5 mA
BF245B 6 15 mA
BF245C 12 25 mA
IGSS
gate cut-off current
VGS
=
?20 V; VDS
=0
??5nA
VGS
=
?20 V; VDS
=0; Tj
=125?C
??0.5
?A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF245B,112 | JFET N-CH 30V 25MA TO-92 |
| CDV19EF620JO3F | CAP MICA 62PF 1KV 5% RADIAL |
| E2011 | SW TOGGLE SPST 3A SLD LUG |
| 3296Y-1-104LF | TRIMMER 100K OHM 0.5W TH |
| BF245A,112 | JFET N-CH 30V 6.5MA TO92-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF245C | 功能描述:JFET N-Channel Transistor RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| BF245C,112 | 功能描述:射频JFET晶体管 BULK FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF245C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR JFET N TO-92 |
| BF245C_D26Z | 功能描述:JFET N-Channel Transistor RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| BF245C_D27Z | 功能描述:JFET N-Channel Transistor RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
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